NVIDIA 自研 Olympus／Vera CPU 如何改寫資料中心 BOM 結構，以及台灣伺服器供應鏈的卡位機會與時程風險。
Vera–Rubin 不是「ARM 打敗 x86」，而是 NVIDIA 把資料中心標準架構（CPU＋GPU＋記憶體＋NVLink）整套收進自己手中。對台灣供應鏈而言，這代表 BOM 結構正在改變。
本報告把整套 Vera–Rubin 系統拆成十一個供應鏈環節，逐一標出台廠角色、是否為本世代新增料件、以及受益確定性。核心結論如下：
NVIDIA 第二代資料中心 CPU「Vera」接替 2022 年的 Grace。最大差別在核心：Grace 向 ARM 採購標準的 Neoverse-V2 核心 IP；Vera 改為僅授權 ARM 指令集，核心改用 NVIDIA 全自研的「Olympus」（88 顆，Armv9.2 相容）。這把 ARM 收費最高的「核心 IP 授權層」繞了過去。
| 項目 | Vera (Olympus) | 對供應鏈的意涵 |
|---|---|---|
| 核心 | 88 顆 Olympus / 176 緒 | 前端 10-wide，僅蘋果 M 達此寬度；單核 IPC 大增 |
| 記憶體 | LPDDR5X，1.5TB，SOCAMM2 | ★ 新增料件：模組形式改變，台廠新卡位點 |
| 記憶體功耗 | < 30W（vs 逾 100W） | 差異化賣點，但整體 perf/watt 未公開 |
| 互連 | NVLink-C2C 1.8 TB/s | 為 PCIe Gen6 七倍；高速互連比重上升 |
| 晶片內 | Coherency Fabric 3.4 TB/s | 單片大晶片，先進封裝需求高 |
| 功耗 | 450W socket TDP | ★ CPU 也高密度化 → 液冷需求上升 |
| 製程 | 台積電先進製程 | 台積電直接受益 |
資料來源：Phoronix 初步測試（2026/5/26）、NVIDIA 官方部落格、Tom's Hardware、TweakTown。能效項目標註為待官方驗證。
下表把整套 Vera–Rubin 系統拆為十一個環節。「新增料件」欄標示本世代相較前代的結構性變化；優先級依商業決策影響度排序。
| 環節 | 代表性台廠角色 | 新增料件 | 優先級 | 受益確定性／備註 |
|---|---|---|---|---|
| 先進封裝 (CoWoS) | 台積電、日月光（封測） | — | P0 | 確定性最高；Vera 單片大晶片＋Rubin 共封需求 |
| 晶圓代工 | 台積電 3nm/先進製程 | — | P0 | Vera 與 Rubin 同吃台積電產能 |
| ★ SOCAMM2／LPDDR5X 模組 | 模組組裝、PCB、測試廠 | ★ 是 | P0 | 本世代最大新機會；gumstick 式模組，料件型態改變 |
| 伺服器 ODM／整機櫃 | 鴻海、廣達、緯創、英業達 | 部分 | P0 | NVL72 整櫃；CPU 也高密度，組裝複雜度上升 |
| 液冷 (CDU/冷板/快接) | AVC、雙鴻、奇鋐等 | 強化 | P0 | CPU 450W＋GPU 雙高功耗 → 液冷需求結構性上升 |
| 電源 (PSU/PDU/BBU) | 台達電、光寶等 | 強化 | P0 | 整櫃功耗上升；高功率電源需求 |
| NVLink 銅纜／背板 | 連接器與線材廠 | ★ 強化 | P1 | NVLink-C2C 1.8TB/s；高速互連比重上升 |
| 光通訊 (光模組/CPO) | 台廠光模組供應商 | ★ 強化 | P1 | 機櫃間互連；800G 以上方向 |
| PCB／載板 | 高階 HDI／ABF 載板廠 | 強化 | P1 | 大晶片＋高速訊號 → 載板層數/材料升級 |
| 連接器 | 高速連接器廠 | 強化 | P1 | SOCAMM2 與 NVLink 帶動新規格 |
| 機構件／機櫃 | 機殼、滑軌、機櫃廠 | 部分 | P2 | 整櫃化帶動機構需求 |
★ = 本世代結構性新增或大幅強化的料件／機會。 P0 = 立即影響決策；P1 = 戰略佈局；P2 = 知識儲備。
Vera 採用 LPDDR5X，最高 1.5TB，以 SOCAMM2「gumstick」式模組搭載於八個記憶體插槽。這與傳統 DDR5 RDIMM 在型態、組裝與測試流程上都不同，是本世代新增的料件類別。其低於 30W 的記憶體子系統功耗是 Vera 對外的核心差異化賣點之一。
關注重點： 這是「新關係」而非既有採購，建議列為供應鏈情報蒐集第一優先；先掌握 NVIDIA 對 SOCAMM2 的合格供應商清單（AVL）動向。
過去 CPU 被視為散熱「配角」；Vera 450W socket 改變了這點。整櫃 CPU＋GPU 雙高功耗，使液冷（冷板、CDU、快接頭）與電源（高功率 PSU/PDU、BBU）需求結構性上升。
關注重點： 既有高功率電力與散熱基礎設施，正好對應 Vera–Rubin 整櫃的高功耗特性——市場需求正在放大這類基礎設施的價值。
Vera 為單片大晶片、與 Rubin 形成緊密共封系統，CoWoS／先進封裝與台積電先進製程是確定性最高的受益環節。對下游採用方而言，主要意義在於理解供給瓶頸（CoWoS 產能、Rubin 供不應求）對採購整櫃的交期與議價影響。
供應鏈卡位的時間窗口，取決於 Vera 領先優勢能維持多久。以下為已排程的競爭動態：